[发明专利]一种多晶硅片及其表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅片及其表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，具体包括如下步骤：清洗和去除多晶硅片表面损伤层；酸液的配置以及多晶硅片的刻蚀；清洗和干燥。本发明采用最为简单的酸刻蚀，在低温条件下在多晶硅表面刻蚀出蚯蚓状的腐蚀坑，所述多晶硅表面的蚯蚓状的腐蚀坑呈现细窄且长的坑状状结构，且腐蚀坑取得了很好的减反射效果。相比与其他酸碱或者干法刻蚀方法，本发明仅采用酸液为刻蚀液，无任何添加剂、工艺简单、操作方便，可控性好且无污染，适应于商业化模式生产。

主权项

1.一种多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，包括以下步骤：去除多晶硅片表面损伤层：将经过清洗的多晶硅片置于HF溶液中浸泡一段时间，进行表面机械损伤层去除；酸液的配置及多晶硅片的刻蚀：配置HF、HNO3和去离子水按照一定比例混合，形成的混合溶液作为酸刻蚀液，将配置好的所述酸刻蚀液放置在冰浴环境下一段时间，待酸刻蚀液温度达到设定的要求，将多晶硅片漂浮在酸刻蚀液表面刻蚀一段时间；清洗与干燥：将刻蚀后的多晶硅片用NaOH溶液、去离子水清洗，然后干燥处理。