[发明专利]用于校正氨-传感器的偏移量的方法有效
| 申请号： | 201810213903.6 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108625951B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | C.海曼;F.施魏策尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | F01N3/20 | 分类号： | F01N3/20;F01N9/00;F01N11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梁冰;邓雪萌 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于校正氨‑传感器的偏移量的方法，所述氨‑传感器在SCR‑系统中布置在至少一个SCR‑催化器的下游。所述方法包括以下步骤：首先，借助氨‑传感器来识别氨‑滑移；然后，将所建模的氨‑填充水平（FNH3mod）设定到最大氨‑填充水平（FNH3max）；并且随后，为SCR‑系统执行还原剂的低计量。当所建模的氨‑填充水平（FNH3mod）回到标称氨‑填充水平（FNH3max）时，结束低计量。接着，进行当前的偏移量的确定，以及，借助差值来进行偏移量的校正，所述差值为在当前的偏移量和预计的偏移量之间的差值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 校正 传感器 偏移 方法 | ||
【主权项】：
1.用于校正（75）氨‑传感器的偏移量的方法，所述氨‑传感器在SCR‑系统中布置在至少一个SCR‑催化器的下游，该方法包括以下步骤：I. 借助所述氨‑传感器来识别（31）氨‑滑移；II. 将所建模的氨‑填充水平（FNH3mod）设定（32）到最大氨‑填充水平（FNH3max）；III. 执行用于所述SCR‑系统的还原剂的低计量（33）；IV. 结束（35）所述低计量（33），当所述所建模的氨‑填充水平（FNH3mod）回到标称氨‑填充水平（FNH3nom）时；V. 确定（72）当前的偏移量（Oa）；并且VI. 借助差值（D）来校正（75）所述偏移量，所述差值为在所述当前的偏移量（Oa）和预计的偏移量（Ov）之间的差值。
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