[发明专利]石墨烯双面太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201810214013.7 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN108321238A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 况亚伟;顾涵;马玉龙;张静;倪志春;魏青竹;潘启勇;杨希峰;刘玉申;冯金福 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明还公开了石墨烯双面太阳能电池的制备方法。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离,实现双面石墨烯太阳能电池,具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅层 石墨烯 双面太阳能电池 通孔 石墨烯薄膜层 减反层 制备 单晶硅 多晶硅表面 光生载流子 太阳能电池 表面设置 环状结构 内建电场 四周区域 多晶硅 前电极 线电极 背栅 暴露 生产 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯双面太阳能电池,其特征在于,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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