[发明专利]石墨烯双面太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810214013.7 申请日: 2018-03-15
公开(公告)号: CN108321238A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 况亚伟;顾涵;马玉龙;张静;倪志春;魏青竹;潘启勇;杨希峰;刘玉申;冯金福 申请(专利权)人: 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
主分类号: H01L31/054 分类号: H01L31/054;H01L31/0725;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张俊范
地址: 215500 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明还公开了石墨烯双面太阳能电池的制备方法。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离,实现双面石墨烯太阳能电池,具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。
搜索关键词: 二氧化硅层 石墨烯 双面太阳能电池 通孔 石墨烯薄膜层 减反层 制备 单晶硅 多晶硅表面 光生载流子 太阳能电池 表面设置 环状结构 内建电场 四周区域 多晶硅 前电极 线电极 背栅 暴露 生产
【主权项】:
1.一种石墨烯双面太阳能电池,其特征在于,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司,未经常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810214013.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top