[发明专利]一种提高菊花品质的种植方法

摘要

本发明属于农作物种植领域，具体公开一种提高菊花品质的种植方法包括以下步骤：（1）培养抗性苗；（2）脱毒处理；（3）诱导侧芽培养；（4）继代培养；（5）生根炼苗；（6）移栽培养；（7）大田管理；（8）水肥和病虫防护。本发明通过培养抗性苗，菊花新发的侧芽抗性强；采用菊花茎尖直接分化产生的丛生芽进行菊花苗的繁殖，不经过愈伤组织的培养，所产生的植株不易突变，有利于菊花品质稳定高产；在菊花的孕花蕾前喷施硒酸盐溶液，不仅提高了菊花中绿原酸的含量，还能够使菊花达到富硒水平，营养成分高，提高了菊花品质。

主权项

1.一种提高菊花品质的种植方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）培养抗性苗：去掉菊花苗的叶片和顶芽，向菊花苗植株喷施9.0 mg/L的病毒唑，然后置于光照培养箱中进行光照培养，每天连续光照 12h，光照强度为2 000〜3000Lx；在光照培养7d后，向菊花苗植株喷施5%菌毒清可湿性粉剂400倍液；光照培养14d后分别喷施7.5%克毒灵水剂700‑800倍液、3.85%病毒必克可湿性粉剂700倍液；在光照培养过程中，以2℃/天的升温速率升温至36±1℃，再恒温继续培养10‑15d，使菊花苗新发的侧芽在36℃±1条件下活动积温达到360℃以上，有效积温260℃以上；最后，采集菊花苗带顶芽的茎段，长度2cm，作为抗性苗备用；（2）脱毒处理；（3）诱导侧芽培养：在无菌培养皿内，将抗性苗顶芽处的幼叶剥离，取0.5‑0.6mm的茎尖接种在侧芽生长培养基上，置于光照培养箱中进行光照培养25‑27d，长出第一代丛生芽；光照培养条件为：每天连续光照12‑16h，光照强度2000‑3000Lx，培养温度(22±1)℃；（4）继代培养：取步骤（3）中的第一代丛生芽，接种于继代培养基上进行光照培养16‑17d，光照培养条件同步骤（3），长出第二代丛生芽；将第二代丛生芽取下，接种于继代培养基上进行光照培养10‑12d，光照培养条件同步骤（3），长出第三代丛生芽；（5）生根炼苗：当第三代丛生芽长至2cm以上时，将其切成单株，取长度2‑3cm的芽苗接种在生根培养基上进行光照培养，光照培养条件同步骤（3），当根长长至2cm以上时，停止光照培养，转移至15±1℃、湿度30‑50%的环境中炼苗培养3‑5d，得到生根苗；（6）移栽培养：用流水冲洗生根苗的根部，移栽至混合基质中，喷施50%多菌灵可湿性粉剂800倍液，覆膜保湿，在空气湿度80‑85%、温度15‑22℃的环境中培养30d，生成菊花苗株；其中，混合基质是由河沙和泥炭土按照质量比1:2混合而成的；（7）大田管理：将菊花苗株栽种在大田中，从菊花拔节到孕花蕾前，均分3次向菊花苗株喷施100mg/L的硒酸盐溶液，喷施时间均为晴天下午16:00‑18:00，其他按照常规管理；（8）水肥和病虫防护；其中，侧芽生长培养基为 MS + NAA 0.1mg/L + 6‑BA 0.03mg/L +蔗糖2.5% + 琼脂1.0% ；继代培养基为MS + NAA 0.05mg/L + 6‑BA 0.02mg/L +蔗糖2.5% + 琼脂1.0%；生根培养基为1/2MS + NAA 0.1mg/L +蔗糖2.5% + 琼脂1.0%；3中培养基的pH均为5.7‑5.8。