[发明专利]一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810214293.1 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108358630B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王根水;边峰;闫世光;徐晨洪;毛朝梁;董显林;曹菲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法，所述反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb |
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| 搜索关键词： | 一种 高储能 密度 反铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高储能密度反铁电陶瓷材料，其特征在于，所述反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1‑xTix]O3 + a SiO2；其中，0.1≤x≤0.15，a为SiO2与Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1‑xTix]O3 的摩尔百分比，3%≤a≤5%。
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