[发明专利]晶片脱附的方法、装置及半导体处理设备有效
| 申请号： | 201810214819.6 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110277328B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李靖 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片脱附的方法、装置及半导体处理设备。所述晶片脱附的方法包括：S110、伺服控制器获取预设安全扭矩值；S120、伺服控制器控制伺服电机驱动顶针机构运动，以对晶片进行脱附，并获取所述伺服电机驱动过程中的最大扭矩值；S130、所述伺服控制器判断所述最大扭矩值是否不大于所述预设安全扭矩值，是则执行步骤S140，否则无粘片产生，完成晶片脱附；S140、伺服控制器控制所述伺服电机抱闸。利用发明的晶片脱附的方法，能够准确判断晶片是否完全脱附以及晶片是否存在粘片现象，以供技术人员后续对发生粘片的晶片进行后续处理(例如，对静电卡盘加载反向电压)，能够有效避免取片机构对晶片造成破损，提高晶片的脱附良率，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 方法 装置 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶片脱附的方法，其特征在于，包括：步骤S110、伺服控制器获取预设安全扭矩值；步骤S120、所述伺服控制器控制伺服电机驱动顶针机构运动，以对晶片进行脱附，并获取所述伺服电机驱动过程中的最大扭矩值；步骤S130、所述伺服控制器判断所述最大扭矩值是否大于所述预设安全扭矩值，是则执行步骤S140，否则无粘片产生，完成晶片脱附；步骤S140、所述伺服控制器控制所述伺服电机抱闸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
