[发明专利]一种硅片的成膜加工方法

摘要

本发明公开了一种硅片的成膜加工方法，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。本发明由常规蓝色的电池硅片在不增加任何设备和辅件的情况下，通过氨气和硅烷比例大小来调节折射率，利用脉冲大小对沉积速率的影响使膜色可控，生产加工出新型墨色电池硅片，用以提升市场竞争力。

主权项

1.一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。