[发明专利]一种超薄的太赫兹强吸收体在审
| 申请号： | 201810216644.2 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108387956A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 白晋军;葛梅兰;张曙升;孙晓东;常胜江 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄的太赫兹强吸收体。所述的太赫兹强吸收体由厚度为t1的金属薄膜层1和厚度为t2半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层中有周期分布的圆柱空气孔结构，所述的圆柱空气孔的半径为r，周期为a。本发明提出的太赫兹强吸收体相比现有基于电磁超材料的太赫兹强吸收体，具有厚度薄，结构简单，吸收率高，易于集成等特点，为太赫兹强吸收体的设计提供了一种新思路和新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 强吸收 半导体介质层 空气孔 吸收率 金属薄膜层 周期分布 超材料 叠加 | ||
【主权项】：
1.一种超薄的太赫兹强吸收体，其特征在于所述太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层中有周期分布的圆柱空气孔结构。
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