[发明专利]集成电路元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路元件及其制造方法，集成电路包括多层叠层以及多个层状导体。多个层状导体在多层叠层中延伸并进入多层叠层下方的导体层中。层状导体具有底部导体层、中间导电衬层以及顶部导体层。底部导体层与基底中的导电层欧姆电性接触。中间导电衬层在底部导体层上方并且衬在对应沟道的部分侧壁上。顶部导体层在中间导电衬层上。

主权项

1.一种集成电路，包括：电路结构，其在基底上有一顶面；多个细长沟道，在所述电路结构中，所述多个细长沟道自所述电路结构的上层延伸到所述电路结构下方的所述基底，并且具有侧壁；以及多个沟道导体，填充所述多沟道导体中的所述对应的细长沟道，所述多个沟道导体中的沟道导体包括：衬导体，与所述对应的细长沟道的侧壁共形，并与所述基底电性接触；第一填充主体，填充所述衬导体上的所对应的细长沟道的侧壁之间的所有细长沟道的下部，所述第一填充主体具有从所述电路结构的所述顶面凹入的上表面；以及顶部导体主体，填充在所述衬导体上的所对应的细长沟道的侧壁之间的所述细长沟道的上部，并与所述衬导体电流流动连通。