[发明专利]抗烧蚀的拼接结构有效
申请号: | 201810218825.9 | 申请日: | 2018-03-16 |
公开(公告)号: | CN108345761B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 冯雪;朱相宇;唐云龙;岳孟坤;方旭飞 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F30/15 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种在高温高速气流下具有高抗烧蚀性能的拼接结构,该拼接结构包括相对设置的拼接试件一与拼接试件二,拼接试件一具有拼接边缘一,拼接试件二具有拼接边缘二,拼接边缘一与拼接边缘二之间留有拼接缝隙,其中,当将拼接结构置于直角坐标系中,拼接边缘一满足曲线y |
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搜索关键词: | 抗烧蚀 拼接 结构 | ||
【主权项】:
1.一种抗烧蚀的拼接结构,包括相对设置的拼接试件一与拼接试件二,所述拼接试件一具有拼接边缘一,所述拼接试件二具有拼接边缘二,所述拼接边缘一与所述拼接边缘二之间留有拼接缝隙,其中,将所述拼接结构置于直角坐标系中,所述拼接边缘一满足曲线方程y1=f(x)+H,所述拼接边缘二满足曲线方程y2=f(x),函数f(x)是周期值为λ的正弦函数,H为所述拼接缝隙的宽度,所述周期值λ与所述拼接缝隙的宽度H的比值满足:λ/H≥2.5。
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