[发明专利]磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统

摘要

本发明涉及一种磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：包括蒸发室和反应室；所述反应室包括基板转架，在基板转架外侧壁上设置有基板安装位，基板安装位包括对称设置在基板转架外侧壁上的上固定槽和下固定槽；所述磁控溅射蒸发室固定设有靶材承载部，在其上承载靶材；磁控溅射蒸发室的侧壁上设有磁控溅射阴极，磁控溅射阴极与其对应的电源连接；所述原子层沉积蒸发室设置有与基板转架相对、平行的气体分配器，所述气体分配器包括进气管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述进气管道的出口。本发明实现磁控溅射、原子层沉积的成膜一体化，满足不同膜层厚度要求的样品的一次性制备。

主权项

1.一种磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：包括蒸发室和反应室（1），蒸发室包括对称设置于反应室（1）相对两侧的磁控溅射蒸发室（2）和对称设置于反应室（1）另一相对两侧的原子层沉积蒸发室（3）；所述反应室（1）包括基板转架（11），基板转架（11）设置于反应室（1）正中心位置，用于承载基板；在所述基板转架（11）外侧壁上设置有基板安装位（15），基板安装位（15）包括对称设置在基板转架（11）外侧壁上的上固定槽和下固定槽，上固定槽与基板转架固定连接，下固定槽借助基板转架（11）上设置的安装槽形成活动连接；所述基板转架（11）与旋转机构（12）连接，旋转机构（12）用于驱动基板转架（11）均速转动；所述反应室（1）还包括与所述反应室（1）连通的气路，所述气路包括靠近所述基板转架（11）设置的第一O2气路（13）和/或第一N2气路（14），用于为薄膜结晶提供补偿气体；所述磁控溅射蒸发室（2）固定设有靶材承载部（21），在其上承载靶材（22）；磁控溅射蒸发室（2）的侧壁上设有磁控溅射阴极（23），磁控溅射阴极（23）与其对应的电源连接；所述原子层沉积蒸发室（3）设置有与基板转架（11）相对、平行的气体分配器（31），所述气体分配器（31）包括进气管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述进气管道的出口；所述配气盘包括两个平行设置的第一配气盘（32）和第二配气盘（33），第一配气盘（32）上均匀设置有多个第一出气孔，第二配气盘（33）上错列设置有多个第二出气孔。