[发明专利]InGaN/GaN多量子阱太阳能电池有效
| 申请号： | 201810222584.5 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110164994B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 姜春艳;井亮;胡卫国 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括：包含台面区域的多量子阱结构的外延片，该多量子阱结构的外延片自下而上依次包含：基底；本征GaN缓冲层；第一N型GaN层；以及台面区域，该台面区域自下而上包含：第二N型GaN层，四周经刻蚀形成台面隔离；In |
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| 搜索关键词： | ingan gan 多量 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括：包含台面区域的多量子阱结构的外延片，该多量子阱结构的外延片自下而上依次包含：基底；本征GaN缓冲层；第一N型GaN层；以及台面区域，该台面区域自下而上包含：第二N型GaN层，四周经刻蚀形成台面隔离；InxGa1‑xN/GaN多量子阱吸收层；以及P型GaN层；金属纳米颗粒阵列，分布于多量子阱结构的外延片的台面区域上表面；以及电流扩展层，覆盖于Ag纳米颗粒阵列的上方；其中，该InGaN/GaN多量子阱太阳能电池施加有应力，受到等离子体和压电效应耦合作用的综合调控。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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