[发明专利]量子点发光器件及制备方法、量子点发光显示装置在审
| 申请号： | 201810223369.7 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108447998A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;陈右儒;李东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种量子点发光器件及其制备方法、以及QLED显示装置，涉及显示技术领域。该量子点发光器件包括：第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层；位于所述量子点发光层与所述第一电极之间的第一空穴传输层；位于所述第一空穴传输层与所述第一电极之间的空穴注入层；位于所述量子点发光层与所述第二电极之间的电子传输层；以及位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间且嵌入至所述量子点发光层中的填充层。本公开可有效的阻止漏电，从而达到降低电流密度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 发光层 第一电极 量子点发光器件 第二电极 电子传输层 空穴传输层 制备 发光显示装置 空穴注入层 显示装置 漏电 填充层 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层；位于所述量子点发光层与所述第一电极之间的第一空穴传输层；位于所述第一空穴传输层与所述第一电极之间的空穴注入层；位于所述量子点发光层与所述第二电极之间的电子传输层；以及位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间且嵌入至所述量子点发光层中的填充层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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