[发明专利]一种阵列基板及制备方法在审
| 申请号： | 201810223632.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108447873A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 韩约白 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及制备方法，所述阵列基板包括：基板；金属遮光层，设置于所述基板表面；多晶硅层，设置于所述金属遮光层之上；其中，所述金属遮光层的面积大于等于所述多晶硅层的面积，且所述多晶硅层在所述金属遮光层上的投影落入所述金属遮光层的范围内，所述多晶硅层的膜层厚度均一。从而避免了所述多晶硅层在所述金属遮光层边缘位置的膜层偏薄的问题，改善了TFT电性，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属遮光层 多晶硅层 阵列基板 膜层 制备 边缘位置 产品良率 厚度均一 基板表面 电性 基板 投影 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；金属遮光层，设置于所述基板表面；多晶硅层，设置于所述金属遮光层之上；其中，所述金属遮光层的面积大于等于所述多晶硅层的面积，且所述多晶硅层在所述金属遮光层上的投影落入所述金属遮光层的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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