[发明专利]具有非易失性存储能力的存储结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201810223875.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108630250B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | G·博苏 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C7/22;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有非易失性存储能力的存储结构及其操作方法。本公开提供了具有类似静态RAM的操作特性的存储单元或存储结构，但是其仍然在单个位的基础上提供非易失性存储能力。为此，诸如铁电晶体管元件的非易失性存储元件可以设置在反相器结构内，以便允许通过增加用于操作该反相器的电压差而在任何期望的操作阶段存储逻辑状态。在示例性实施例中，存储的逻辑状态可以在上电事件期间重新建立。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 非易失性 存储 能力 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态存储单元，包括：包括第一晶体管元件和非易失性存储元件的第一反相器结构，所述第一反相器结构包括第一输入和第一输出；串联连接在所述非易失性存储元件与参考电压之间的第二晶体管元件；以及具有第二输入和第二输出的第二反相器结构，所述第二输出连接到所述第一输入以及所述第二输入连接到所述第一输出。
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