[发明专利]加工方法在审
| 申请号： | 201810224063.3 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108630536A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 田渕智隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供加工方法，在对形成有膜的板状的被加工物进行分割的情况下，不使切削刀具产生堵塞并且不利用激光加工装置而能够对被加工物进行加工。该加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从被加工物(W)的正面(W1a)沿着分割预定线(S)形成槽(M1)；扩展片粘贴步骤，在实施了槽形成步骤之后，在被加工物(W)的正面(W1a)上粘贴扩展片(T3)；扩展步骤，在实施了扩展片粘贴步骤之后，对扩展片(T3)进行扩展；以及喷射步骤，在实施了扩展步骤之后，对被加工物(W)的膜(W2)喷射喷射物(P)。 | ||
| 搜索关键词： | 被加工物 粘贴 槽形成 加工 喷射 激光加工装置 分割预定线 切削刀具 喷射物 板状 堵塞 分割 | ||
【主权项】：
1.一种加工方法，是设定有多条分割预定线并且在板状物的背面上形成有膜的被加工物的加工方法，其中，该加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从被加工物的正面沿着该分割预定线形成槽；扩展片粘贴步骤，在实施了该槽形成步骤之后，在被加工物的正面上粘贴扩展片；扩展步骤，在实施了该扩展片粘贴步骤之后，对该扩展片进行扩展；以及喷射步骤，在实施了该扩展步骤之后，对被加工物的该膜喷射喷射物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
