[发明专利]沟槽金氧半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽金氧半导体元件及其制造方法，该沟槽金氧半导体元件包括以下构件。基底定义有主动区及终端区。基底具有自主动区延伸至终端区的沟槽。第一电极位于沟槽中，且具有延伸至终端区中的延伸部。第二电极位于沟槽中，且位于第一电极上。第一掺杂区与第二掺杂区分离设置于延伸部中。第一金属层设置于基底上，且电性连接于第一掺杂区与第二电极。第二金属层设置于基底上，且电性连接于第二掺杂区与第一电极。第一金属层与第二金属层中的一者延伸设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间，且与第一掺杂区的正投影及第二掺杂区的正投影交叠。上述沟槽金氧半导体元件及其制造方法可有效地减少制程数并降低制程成本。

主权项

1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：基底，定义有主动区及终端区，且具有自所述主动区延伸至所述终端区的沟槽；第一电极，位于所述沟槽中，且具有延伸至所述终端区中的延伸部；第二电极，位于所述沟槽中，且位于所述第一电极上，其中所述基底、所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离；第一掺杂区与第二掺杂区，分离设置于所述延伸部中；第一金属层，设置于所述基底上，且电性连接于所述第一掺杂区与所述第二电极；以及第二金属层，设置于所述基底上，且电性连接于所述第二掺杂区与所述第一电极，其中所述第一金属层与所述第二金属层中的一者延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且与至少部分所述第一掺杂区的正投影及至少部分所述第二掺杂区的正投影交叠。