[发明专利]套刻标记及其可靠性验证方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻标记及其可靠性验证方法。所述套刻标记，包括第一测量标记，形成在第一层中，包括多个直线型图形；第二测量标记，形成在第二层中，包括块状图形；所述第二层形成在所述第一层之后；所述块状图形在所述第一测量标记所在平面内的投影位于经过所述多个直线型图形的直线围成的封闭区域内。本发明提高了厚光阻套刻精度量测的准确性，使得厚光阻套刻量测的问题得到有效解决；同时，使得光刻工艺师能够根据套刻参数量测结果判断层与层之间的套刻精度是否符合要求以及套刻补偿值的可靠性。

主权项

1.一种套刻标记可靠性验证方法，其特征在于，包括如下步骤：根据形成在第一层中的第一测量标记和形成在第二层中的第二测量标记计算第二层的套刻参数；其中，所述第二层形成在所述第一层之后；根据所述第二层的套刻参数计算套刻补偿值以得到第一补偿参数A，所述第一补偿参数A包括平移参数和扩张参数；将所述第一补偿参数A中的平移参数加上第一预设值K得到第二补偿参数B；采用所述第一补偿参数A曝光第一晶圆；采用所述第二补偿参数B曝光第二晶圆；判断下述式(1)与式(2)是否同时成立，若是，则确认第二层的套刻参数量测结果可信；A1＝A2    (1)B1＝B2    (2)上式中，A1表示利用套刻标记在线直接量测得到的经曝光的第一晶圆的套刻参数，A2表示根据第一晶圆中第一层目标图形和第二层目标图形的实际位置量测得到的套刻参数，B1表示利用套刻标记在线直接量测得到的经曝光的第二晶圆的套刻参数，B2表示根据第二晶圆中第一层目标图形和第二层目标图形的实际位置计算得到的套刻参数。