[发明专利]近匹配角Al掺杂CsLiB6O10晶体的生长方法及光学应用在审
| 申请号： | 201810226928.X | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110273180A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林哲帅;杨珊;胡章贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;王文红 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光学器件领域，提出一种近匹配角Al掺杂CsLiB6O10晶体的生长方法，将匹配角φ＝45°,θ＝61.9°方向切割的CsLiB6O10晶体作为籽晶，生长CsLiB6O10晶体。本发明还提出所述生长方法得到的晶体、及其光学应用。本发明采用铝掺杂CLBO晶体，获得的近匹配角Al掺杂CsLiB6O10晶体，抗潮解能力显著增强，提高了晶体品质和工业实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 匹配角 生长 掺杂 光学应用 晶体的 工业实用性 光学器件 晶体品质 铝掺杂 潮解 籽晶 切割 | ||
【主权项】：
1.一种近匹配角Al掺杂CsLiB6O10晶体的生长方法，其特征在于，将匹配角φ＝45°,θ＝61.9°方向切割的CsLiB6O10晶体作为籽晶，生长CsLiB6O10晶体。
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