[发明专利]光掩模和光掩模坯以及光掩模的制造方法有效
申请号: | 201810227081.7 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108693697B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 山田慎吾;森山久美子;美作昌宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/80 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域,上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部,上述相移膜使曝光光的相位偏移,而且,上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1~8%。在上述边界部,曝光光的强度分布急剧变化,能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。 | ||
搜索关键词: | 层叠区域 曝光光 光透过率 透过区域 透明基板 半透膜 边界部 光掩模 相移 光致抗蚀剂图案 半色调掩模 光掩模坯 急剧变化 剖面形状 强度分布 透明区域 相位偏移 细微化 灰阶 图案 曝光 制造 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,其特征在于,该光掩模具有:在透明基板上由半透膜构成的半透过区域;从所述透明基板侧依次层叠使曝光光的相位反转的相移膜和所述半透膜的层叠区域;以及露出所述透明基板的透明区域,所述层叠区域具有与所述半透过区域相接的边界部或与所述透明区域相接的边界部,或者,具有与所述半透过区域相接的边界部和与所述透明区域相接的边界部,所述半透过区域对于曝光光的光透过率大于所述层叠区域对于曝光光的光透过率,小于所述透明基板对于曝光光的光透过率,所述半透膜的相移角是0.1度以上20度以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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