[发明专利]一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样及其制备方法在审
申请号: | 201810228194.9 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108445027A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 况敏;刘敏;叶云;陈焕涛;王昊;胡芳;黄健 | 申请(专利权)人: | 广东省新材料研究所 |
主分类号: | G01N23/20008 | 分类号: | G01N23/20008;G01N23/203;C23C14/14;C23C14/24;C23C14/58 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 李进 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样及其制备方法,属于电子显微分析技术领域。制备方法包括:于纳米非导电涂/镀层的表面蒸镀金属导电膜,然后截取待测试样,镶嵌包埋待测试样,然后研磨抛光经镶嵌包埋后的待测试样的表面,截取非导电涂/镀层试样,除去非导电涂/镀层试样的镶嵌包覆物,对带蒸镀导电膜的非导电涂/镀层试样离子抛光。该方法针解决了EBSD面扫描需要对被表征表面施加大束斑大电流而纳米非导电涂层导电不良而电荷积累的矛盾,提供一种可以完整整体表征或局部精细表征纳米非导电涂/镀层试样制备方法。由此得到的纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样能够满足EBSD精细表征需要。 | ||
搜索关键词: | 非导电 镀层试样 镀层 精细 制备 待测试样 镶嵌 截取 包埋 蒸镀 电子显微分析技术 非导电涂层 金属导电膜 表征表面 电荷积累 研磨抛光 包覆物 大电流 导电膜 面扫描 抛光 导电 束斑 离子 矛盾 | ||
【主权项】:
1.一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:于纳米非导电涂/镀层的表面蒸镀金属导电膜,然后截取待测试样,镶嵌包埋所述待测试样,然后研磨抛光经镶嵌包埋后的所述待测试样的表面,截取非导电涂/镀层试样,除去所述非导电涂/镀层试样的镶嵌包覆物,对带蒸镀导电膜的所述非导电涂/镀层试样离子抛光。
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