[发明专利]一种二维AlN材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810233105.X | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108321076A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;郑昱林 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L31/09;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二维AlN材料及其制备方法与应用，包括以下步骤：（1）衬底以及其晶向的选取；（2）对衬底进行表面清洁处理；（3）石墨烯层转移至衬底层上；（4）衬底退火处理；（5）采用MOCVD工艺通入H2打开石墨烯层并钝化衬底表面；（6）采用MOCVD工艺生长二维AlN层。本发明的制备方法具有工艺简单、省时高效的优点。同时本发明制备的二维AlN材料可广泛应用于HEMT器件、深紫外探测器或深紫外LED等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 制备 衬底 石墨烯层 应用 深紫外探测器 深紫外LED 表面清洁 衬底表面 省时高效 退火处理 衬底层 钝化 晶向 生长 | ||
【主权项】：
1.一种二维AlN材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）衬底以及衬底晶向的选取；（2）对衬底进行表面清洁处理；（3）将石墨烯层转移至衬底层上实现范德华力结合；（4）衬底退火处理：将步骤（3）所得衬底放入退火室内，在950~1050 ºC下对衬底进行退火处理，获得原子级平整的衬底表面；（5）将步骤（4）中所得到的衬底/石墨烯转移至MOCVD生长室内，通入H2打开石墨烯层并钝化衬底表面，具体工艺为：加热衬底温度为900~1000 ℃，H2流量保持为80~100 sccm，通入H2的时间为5~10 min；（6）采用MOCVD工艺生长二维AlN层，具体工艺为：在衬底温度为900~1000 ℃下，通入TMAl与NH3在衬底表面作用，使Al&N原子进入石墨烯层与衬底层之间并反应形成AlN，保持TMAl流量为200~300 sccm，NH3流量为10~30 sccm，通入TMAl、NH3的时间均为40~60 s，得二维AlN材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810233105.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
