[发明专利]半导体设备及其检测设备和制造方法有效
| 申请号： | 201810233776.6 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108666228B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 武藤优 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的主题是提高半导体设备的制造成品率。通过使插口(其安装在半导体设备的检测设备中的测试基本上)的多个弹簧针与多个焊球分别接触，并使设置在插口中的测试针与多个焊球中的第一焊球在不同于所述弹簧针与所述第一焊球接触的位置接触，以测量所述弹簧针和所述测试针之间的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 及其 检测 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：(a)将半导体设备插入测试插口，其中，所述半导体设备包括配线基板，所述配线基板设置有多个作为外部端子的球电极；以及(b)使设置在所述插口中的多个第一端子与所述多个球电极分别接触，使设置在所述插口中的第二端子与所述多个球电极中的第一球电极接触，以及检测所述第一端子与所述第一球电极之间的导电状态，其中，在步骤(b)中，通过使所述第二端子从不同于所述第一端子与所述第一球电极的接触方向的方向与所述第一球电极接触，测量所述第一端子与所述第二端子之间的电阻值，通过测量所述电阻值检测所述第一端子与所述第一球电极之间的连接故障。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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