[发明专利]栅极的制造方法

摘要

本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：形成栅介质层和多晶硅栅；形成第一氮化层和第二氧化层叠加的硬质掩模层；光刻刻蚀形成栅极；在栅极的侧面形成氮化层侧墙；形成氮化层接触孔刻蚀停止层；形成氧化层层间膜；以接触孔刻蚀停止层为停止层进行氧化层的第一次化学机械研磨；进行氮化层刻蚀将各栅极的第二氧化层顶部的氮化层都去除；进行氧化层的刻蚀将栅极顶部的第二氧化层去除，层间膜的厚度同步减少；以多晶硅栅为停止层对高于多晶硅栅顶部表面的残余的氮化层和氧化层进行第二次化学机械研磨。本发明能实现稳定控制栅极的高度并提高栅极高度的一致性，不需要光罩，成本低。

主权项

1.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅栅；步骤二、在所述多晶硅栅的表面形成硬质掩模层；所述硬质掩膜层由第一氮化层和第二氧化层叠加而成；步骤三、进行光刻刻蚀形成多个栅极，各所述栅极由刻蚀后的所述栅介质层、所述多晶硅栅和所述硬质掩模层叠加而成；步骤四、在各所述栅极的侧面形成由氮化层材料组成的侧墙；步骤五、形成由氮化层组成的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层覆盖在所述栅极的顶部的所述硬质掩膜层表面、所述侧墙的侧面以及所述栅极之间的所述半导体衬底表面；步骤六、形成由氧化层组成的层间膜，所述层间膜将所述栅极之间的间隙完全填充并延伸到所述栅极的顶部；步骤七、以所述接触孔刻蚀停止层为停止层进行氧化层的第一次化学机械研磨，所述第一次化学机械研磨将所述层间膜减薄并将所述栅极顶部的所述接触孔刻蚀停止层表面露出；步骤八、进行氮化层刻蚀将各所述栅极的所述第二氧化层顶部的氮化层都去除；步骤九、进行氧化层的刻蚀将所述栅极顶部的所述第二氧化层去除，所述栅极之间所述层间膜的厚度同步减少；步骤十、以所述多晶硅栅为停止层进行第二次化学机械研磨，所述第二次化学机械研磨同时对高于所述多晶硅栅顶部表面的残余的氮化层和氧化层进行研磨实现所述栅极的平坦化。