[发明专利]栅介质层的制造方法有效
| 申请号： | 201810234203.5 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108447782B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘厥扬 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅介质层的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底，定义出具有高介电常数材料层的第一栅介质层的形成区域；步骤二、采用水汽携带臭氧氧化方法形成第一栅介质层的界面层；步骤三、沉积第一栅介质层的高介电常数材料层。本发明能提高对界面层的厚度的控制并有利于实现较薄的界面层，能提高界面层和高介电常数材料层之间的接合力，提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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