[发明专利]具有绝缘沟槽的IC及相关的方法有效
| 申请号： | 201810234290.4 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108562842B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | A·帕加尼;G·吉兰多;F·G·齐格利奥利;A·菲诺基亚洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66;H01L21/762;H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 沟槽 ic 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底，包括顶表面和相对的底表面，所述半导体衬底包括形成在所述顶表面处的电路系统；介电层，设置在所述半导体衬底上方；天线，设置在所述电介质层中，所述天线被耦合到所述电路系统；密封环，包括设置在所述介电层的外围周围的金属，所述密封环在所述天线和所述电路系统的周围被设置在所述半导体衬底上方的所述介电层中；以及至少一个电绝缘沟槽，包括固态绝缘材料，所述至少一个电绝缘沟槽竖直地延伸到所述半导体衬底中、并且从所述IC的相邻的一侧向所述IC的相邻的另一侧横向地延伸跨过所述IC，其中所述电路系统和所述天线被集成在所述半导体衬底上以形成所述IC。
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