[发明专利]用于处理半导体工件的方法和半导体装置

摘要

本发明涉及一种用于处理半导体工件的方法，其中该方法包含以下内容：在半导体工件的第一区域中形成沟槽结构，其中沟槽结构从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至第一深度；在第一区域的侧向旁边在半导体工件的第二区域中形成至少一个凹部，其中至少一个凹部从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至小于第一深度的第二深度；在半导体工件上形成至少一个材料层，其中至少一个材料层填充沟槽结构和至少一个凹部并且覆盖半导体工件的在第一区域中和在第二区域中的表面；和平坦化半导体工件，以便部分地去除在第一区域中的和在第二区域中的至少一个材料层，其中在沟槽结构中和在至少一个凹部中的至少一个材料层保留。

主权项

1.用于处理半导体工件（202）的方法（100），其中所述方法具有以下内容：在半导体工件（202）的功率装置区域（202a）中形成沟槽结构（214），其中所述沟槽结构（214）从半导体工件（202）的表面（202s）延伸到半导体工件（202）中直至第一深度（215），在所述功率装置区域（202a）的侧向旁边在半导体工件（202）的功能区域（202b）中形成至少一个凹部（224），其中所述至少一个凹部（224）从半导体工件（202）的表面（202s）延伸到半导体工件（202）中直至小于第一深度（215）的第二深度（225），并且其中所述至少一个凹部（224）具有大于第二深度（225）的宽度（221）；在所述半导体工件（202）上形成至少一个材料层（230），其中所述至少一个材料层（230）具有半导体材料或由其构成并且填充所述沟槽结构（214）和所述至少一个凹部（224）并且覆盖半导体工件（202）的在功率装置区域（202a）中和在功能区域（202b）中的表面（202s）；平坦化所述半导体工件（202），使得部分地去除在功率装置区域（202a）中的和在功能区域（202b）中的所述至少一个材料层（230），其中所述至少一个材料层（230）的在所述沟槽结构（214）中的第一区段（240a）保留并且其中所述至少一个材料层（230）的在所述至少一个凹部（224）中的第二区段（240b）保留；在所述功率装置区域（202a）中形成功率装置结构（900a），其中所述至少一个材料层（230）的第一区段（240a）是所述功率装置结构（900a）的部分；并且在所述功能区域（202b）中形成功能结构，其中所述至少一个材料层（230）的第二区段（240b）是所述功能结构的部分。