[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 201810236090.2 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109658971B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李忠勋;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/50 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列及一控制元件。存储器阵列包括一更新单元。更新单元包括一第一存储胞及一第二存储胞。第一存储胞被配置以存储一数据，并具有一经程序化电压电平。第二存储胞被配置以具有一测试电压电平，其中第二存储胞与该第一存储胞受控于存储器阵列的同一列。控制元件被配置以当测试电压电平低于一临界电压电平时，提高经程序化电压电平与一标准电压电平之间的一电压差，标准电压电平用于判断位元逻辑，其中临界电压电平高于标准电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器，包括：一存储器阵列，包括：一更新单元，包括：一第一存储胞，配置以存储一数据，并具有一经程序化电压电平，其中该经程序化电压电平通过该第一存储胞被程序化而得；以及一第二存储胞，配置以具有一测试电压电平，其中该测试电压电平通过与该第一存储胞一同被程序化而得，其中该第二存储胞与该第一存储胞受控于该存储器阵列的同一列；以及一控制元件，配置以当该测试电压电平低于一临界电压电平时，提高该经程序化电压电平与一标准电压电平之间的一电压差，该标准电压电平用于判断位元逻辑，其中该临界电压电平高于该标准电压电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810236090.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
