[发明专利]氮化碳薄膜场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810236465.5 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108511530B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王心晨;方元行;陈惠鹏;李晓春 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;李翠娥 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种氮化碳薄膜场效应晶体管。所述的场效应晶体管自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。氮化碳沟道层是通过前驱体升华原位聚合法沉积在介质层上的，然后制备源极和漏极，得到氮化碳场效应晶体管。这类氮化碳晶体管所用材料廉价易得，低污染，可大规模生产，能在有机光电器件领域有一定的应用意义。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810236465.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
