[发明专利]高电压晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810239017.0 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110299398B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李信宏;熊昌铂 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电压晶体管及其制造方法，该高电压晶体管包括基板，基板具有凹陷区域。掺杂区域设置在所述基板中位于所述凹陷区域的两侧。浅沟槽隔离结构设置在所述基板的所述掺杂区域中，位于所述凹陷区域的周围区域，其中所述浅沟槽隔离结构的底部在所述凹陷区域内的一部分，有往所述基板凸出的凸出部。栅极绝缘层设置在所述基板上，位于在所述凹陷区域内所述浅沟槽隔离结构以外的中心区域，其中所述栅极绝缘层有凸出部分。栅极结构设置在所述栅极绝缘层上以及在所述凹陷区域内的所述浅沟槽隔离结构上，覆盖所述栅极绝缘层的所述凸出部分。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电压晶体管，其特征在于，包括:基板，具有凹陷区域；掺杂区域，在所述基板中位于所述凹陷区域的两侧；浅沟槽隔离结构，在所述基板的所述掺杂区域中，位于所述凹陷区域的周围区域，其中所述浅沟槽隔离结构的底部在所述凹陷区域内的一部分，有往所述基板凸出的凸出部；栅极绝缘层，在所述基板上，位于在所述凹陷区域内所述浅沟槽隔离结构以外的中心区域，其中所述栅极绝缘层有凸出部分；以及栅极结构，在所述栅极绝缘层上以及在所述凹陷区域内的所述浅沟槽隔离结构上，覆盖所述栅极绝缘层的所述凸出部分。
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