[发明专利]一种制造半导体器件的方法

摘要

提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。