[发明专利]一种SERS芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201810239791.1 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108627493B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 孙海龙;郭清华 | 申请（专利权）人： | 苏州英菲尼纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 汪青;周敏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SERS芯片的制备方法，所述制备方法包括以下步骤通过自组装方法在基底上形成多个无序分布的第一导电材料；在所述的第一导电材料表面原位生长第二导电材料。本发明通过在基底上无序组装小粒径的纳米粒子，然后通过原位生长的方法，在原来组装的纳米粒子位置生长相同或不同的元素，通过控制二次生长的元素或生长用量，可以得到形貌有序可控、高可重复性、热点均匀、性质稳定、可大面积生长，且灵敏度高的稳定的SERS芯片，该芯片的制备工艺简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明制得的SERS芯片，可以实现多种低浓度有机物的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sers 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SERS芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤通过自组装方法在基底上形成多个无序分布的第一导电材料；在所述的第一导电材料表面原位生长第二导电材料。
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