[发明专利]大电流功率MOS封装装置有效
| 申请号： | 201810239895.2 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108461995B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 周脉强;徐星德 | 申请（专利权）人： | 无锡工赢智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01R13/66 | 分类号： | H01R13/66;H01R13/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的环境，包括基体，基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，输入通道、接地通道和输出通道连通控制电路，电流从输入通道进入控制电路并从输出通道输出，控制电路调节输出电流的大小。输出通道的宽度为2.55毫米‑3.61毫米。本发明实施方式中，宽度为2.55毫米‑3.61毫米的输出通道增加了通道和通道内导电元件的接触面积，减小了产生的接触电阻，从而减小了电流在输出通道处产生的损耗，提高了本实施方式中的大电流功率MOS封装装置的电流通过效率。同时，输出通道的横截面积增大也增大了空气对流面积，提高了大电流功率MOS封装装置的散热效果，降低了温升，保证了使用安全和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 功率 mos 封装 装置 | ||
【主权项】：
1.一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的工作环境，其特征在于，所述大电流功率MOS封装装置包括基体，所述基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道连通所述控制电路，电流从所述输入通道进入所述控制电路并从所述输出通道输出，所述控制电路调节输出电流的大小，所述输出通道的宽度为2.55毫米‑3.61毫米。
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