[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201810242244.9 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108493305B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孙逊运;周元基;于凯 | 申请（专利权）人： | 潍坊星泰克微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新技术开*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造，尤其是涉及一种图形化蓝宝石衬底的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(a)在蓝宝石衬底表面涂覆形成耐刻蚀涂层；(b)在耐刻蚀涂层表面涂覆含硅光刻胶形成含硅光刻胶层，光刻形成掩膜图形；(c)在含硅光刻胶层的保护下刻蚀耐刻蚀涂层，将掩膜图形转移至耐刻蚀涂层；(d)去除含硅光刻胶；(e)刻蚀耐刻蚀涂层和蓝宝石衬底，得到所述图形化蓝宝石衬底。本发明使用超薄厚度的含硅光刻胶结合耐刻蚀涂层，不仅具有高的耐刻蚀性能，而且通过接触式曝光同样保证了高的分辨率和良率要求，有效的控制了设备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 衬底 图形化蓝宝石 硅光 制备 硅光刻胶层 蓝宝石 掩膜图形 涂覆 半导体制造 接触式曝光 衬底表面 刻蚀性能 设备成本 涂层表面 分辨率 光刻 良率 去除 保证 | ||
【主权项】：
1.一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在蓝宝石衬底表面涂覆形成耐刻蚀涂层；(b)在耐刻蚀涂层表面涂覆含硅光刻胶形成含硅光刻胶层，采用接触式曝光方式光刻形成掩膜图形；(c)在含硅光刻胶层的保护下刻蚀耐刻蚀涂层，将掩膜图形转移至耐刻蚀涂层；(d)去除含硅光刻胶；(e)刻蚀耐刻蚀涂层和蓝宝石衬底，得到所述图形化蓝宝石衬底；所述耐刻蚀涂层的材料为有机耐刻蚀材料；所述有机耐刻蚀材料包括热固性树脂；将有机耐刻蚀材料涂覆于蓝宝石衬底表面，加热固化形成所述耐刻蚀涂层；所述含硅光刻胶的硅含量为30％‑45％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潍坊星泰克微电子材料有限公司，未经潍坊星泰克微电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810242244.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
