[发明专利]用高频波进行硅单晶生长过程控制的硅单晶炉在审
| 申请号： | 201810243378.2 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108330531A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄永恩;贾建亮 | 申请（专利权）人： | 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B30/00 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 陆军 |
| 地址： | 065000 河北省廊坊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种用高频波进行硅单晶生长过程控制的，其特征在于包括炉体、以及坩埚，其中，所述坩埚位于炉体内，用于容纳原料，其中，所述炉体的侧壁和/或底部布置有馈波孔，用于与外部微波加热组件对接，以对坩埚内的原料进行加热，所述坩埚由石英钳锅、以及套在所述石英钳锅外的石墨钳锅组成，所述石墨坩埚的底部连接有坩埚轴，所述坩埚轴从所述炉体的底部贯穿，用于在单晶硅生长过程中上下移动和转动所述坩埚。本公开使用微波提供热能，充分利用波能的频率和波长特性，既能达到直接高效加热硅料又能绕开介质的吸能浪费，根据多晶料的特性做到高效、快速熔融，在单晶生长期间提供足够大的温场梯度，以获得最大生长速度，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 炉体 硅单晶生长过程 高频波 坩埚轴 石英 加热 微波加热组件 单晶硅生长 波长特性 单晶生长 底部连接 硅单晶炉 快速熔融 期间提供 上下移动 生产效率 石墨坩埚 多晶料 石墨 波孔 波能 侧壁 硅料 绕开 套在 温场 吸能 转动 微波 容纳 体内 生长 贯穿 外部 | ||
【主权项】：
1.一种用高频波进行硅单晶生长过程控制的硅单晶炉，其特征在于包括炉体(1)、以及坩埚(2、3)，其中，所述坩埚(2、3)位于炉体(1)内，用于容纳原料，其中，所述炉体(1)的侧壁和/或底部布置有馈波孔(7、9)，用于与外部微波加热组件对接，以对坩埚(2、3)内的原料进行加热。
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