[发明专利]基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件有效
| 申请号： | 201810244207.1 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108470575B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘富荣;韩子豪;樊婷;韩钊;黄引;张永志 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ge2sb2te5 神经 记忆 器件 | ||
【主权项】：
1.基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，其特征在于，将Ge2Sb2Te5和光波导进行耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导中间一段的表面上形成耦合区，光波导左右两端通过光栅与光子光路耦合。
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