[发明专利]在氮化物半导体材料上形成欧姆电极的方法在审
| 申请号： | 201810245726.X | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108630534A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 市川弘之;西真弘 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;张珂珂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在氮化物半导体材料上形成包含铝(Al)的欧姆电极的方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体材料上沉积欧姆金属；(b)形成绝缘膜，使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和(c)在高于500℃的温度使所述欧姆金属合金化30秒至60秒。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆金属 氮化物半导体材料 欧姆电极 绝缘膜 半导体材料 合金化 顶面 沉积 侧面 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种在氮化物半导体材料上形成欧姆电极的方法，包括以下步骤：在氮化物半导体材料上沉积欧姆金属，所述欧姆金属为具有顶面和侧面的隔离图案；形成绝缘膜，从而使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和使所述欧姆金属合金化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
