[发明专利]一种加快相变存储器写操作速度的方法在审
| 申请号： | 201810246221.5 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108417237A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，进行写操作，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止；有益效果：采用预加热技术对第一个地址之后的后续地址依次进行预先加热，使这些后续的地址在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，从而大大节省了写入时间，加快了写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 写操作 写操作地址 相变存储器 写入 预加热 后续地址 加热 | ||
【主权项】：
1.一种加快相变存储器写操作的方法，其特征在于，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。
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