[发明专利]一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件

摘要

本发明公开了一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底内设有N深阱；N型深阱内设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区；所述第二P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。本发明具有双向泄放静电的能力，可同时用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的静电防护，在不增加额外面积和降低器件导通能力的前提下，保证器件具有低触发电压的同时还具有较高的维持电压，从而使得器件具有优良的ESD窗口。

主权项

1.一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底，所述P型衬底内设有N深阱；所述N型深阱内从左到右依次设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区，其中第一P+注入区横跨第一P阱和N型深阱；第二P阱内从左到右依次设有第二N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区，其中第四P+注入区横跨第二P阱和N型深阱；所述第二P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。