[发明专利]接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法在审
申请号: | 201810249228.2 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN110098165A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 林珩之;李建广;黄盈伟;许祯玲 | 申请(专利权)人: | 络达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法。接垫结构形成在三五族基板上。接垫结构包括第一导电层、介电层、第二导电层及电路。介电层形成在第一导电层上且具有贯穿孔,贯穿孔露出第一导电层。第二导电层包括铆合部及接垫部,铆合部填满贯穿孔并连接于第一导电层,而接垫部形成在介电层上方。 | ||
搜索关键词: | 接垫结构 第一导电层 贯穿孔 介电层 半导体芯片 第二导电层 铆合部 接垫 基板 填满 应用 制造 电路 | ||
【主权项】:
1.一种接垫结构,形成在三五族基板上,其特征在于,包括:一第一导电层:一第一电路,连接于该第一导电层;一第一介电层,形成在该第一导电层上且具有至少一第一贯穿孔,该第一贯穿孔露出该第一导电层;一第二导电层,包括至少一铆合部及一第一接垫部,该铆合部填满该第一贯穿孔并连接于该第一导电层,而该第一接垫部形成在该第一介电层上方,该铆合部、该第一贯穿孔与该第一导电层构成一铆合结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于络达科技股份有限公司,未经络达科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810249228.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于半导体部件的同轴互连结构
- 下一篇:半导体器件及其制造方法