[发明专利]一种半导体基材的表面处理方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体基材的表面处理方法，首先采用超声波对半导体基材进行预清洗，以清除半导体基材表面的污迹，然后采用离子束刻蚀预清洗后的半导体基材，以提高半导体基材表面的清洁度，再采用磁控溅射在刻蚀后的半导体基材上沉积硅过渡层，以提高后续工序中类金刚石膜与半导体基材之间的结合性能，接着在沉积硅过渡层后的半导体基材上沉积类金刚石膜，以获得均匀致密的覆盖层，最后在沉积类金刚石膜后的半导体基材上掺杂氟，以提高半导体基材的疏水疏油性，从而避免水汽、液体、油污等积聚在半导体基材的表面，从而改善半导体的性能。

主权项

1.一种半导体基材的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：采用超声波对半导体基材进行预清洗，预清洗时间为20分钟；其中，采用异丙醇作为清洗溶剂；采用离子束刻蚀预清洗后的所述半导体基材；采用磁控溅射在刻蚀后的所述半导体基材上沉积硅过渡层；其中，靶材为高纯度的硅靶材，过渡层厚度为采用磁过滤真空阴极电弧法在沉积所述硅过渡层后的所述半导体基材上沉积类金刚石膜；采用射频化学气相沉积在所述类金刚石膜上掺杂氟，以四氟化碳为掺杂气体，流量为80sccm，掺杂时间为15min。