[发明专利]一种隔板的处理方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种隔板的处理方法，通过将硅片连续送入沉积设备的第一反应腔，以使硅片与第一反应腔内的原料气体氨气和硅烷反应，从而在隔板的表面形成致密、均匀的第一氮化硅膜，再通过将硅片连续送入沉积设备的第二反应腔，以使硅片与第二反应腔内的原料气体氨气和硅烷反应，从而在形成第一氮化硅膜后的隔板的表面形成致密、均匀的第二氮化硅膜，以使得在致密、均匀的第一氮化硅膜和第二氮化硅膜的双重保护下，避免隔板在刻蚀半导体工序时被刻蚀，从而提高了隔板的寿命，以避免频繁更换隔板，从而降低成本。

主权项

1.一种隔板的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：将隔板放置在沉积设备的第一反应腔内；将氨气和硅烷通入所述第一反应腔，并且使所述第一反应腔内氨气和硅烷的体积比为1:1～1.5:1；将硅片连续送入所述第一反应腔，以使所述隔板的表面形成第一氮化硅膜；将形成所述第一氮化硅膜后的隔板放置在所述沉积设备的第二反应腔内；将氨气和硅烷通入所述第二反应腔，并且使所述第二反应腔内氨气和硅烷的体积比为4:1～4.5:1；将硅片连续送入所述第二反应腔，以使形成所述第一氮化硅膜后的隔板的表面形成第二氮化硅膜。