[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810252979.X | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108767102A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。制备方法包括：提供一发光二极管芯粒，发光二极管芯粒包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极、N型电极和反射层，缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上，反射层设置在衬底的第二表面上；采用脉冲激光沉积技术在反射层上形成散热层，散热层的组成物质包括碳单质，碳单质的原子个数占散热层的原子个数的90％以上；通过胶体将散热层固定在散热基座上。本发明可提升芯片的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 散热层 反射层 衬底 制备 发光二极管芯片 多量子阱层 发光二极管 缓冲层 碳单质 芯粒 脉冲激光沉积技术 半导体技术领域 第二表面 第一表面 散热基座 散热能力 依次层叠 芯片 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一发光二极管芯粒，所述发光二极管芯粒包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极、N型电极和反射层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反射层设置在所述衬底的第二表面上，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；采用脉冲激光沉积技术在所述反射层上形成散热层，所述散热层的组成物质包括碳单质，所述碳单质的原子个数占所述散热层的原子个数的90％以上；通过胶体将所述散热层固定在散热基座上。
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