[发明专利]基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法在审
| 申请号： | 201810253119.8 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108793055A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | M·亚巴西加瓦蒂;D·卡尔塔比亚诺;A·A·波马里科;G·罗塞利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开涉及基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法。例如，一种微机电换能器包括：半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一结构本体，耦合至半导体本体的第一表面；第一密封腔，位于半导体本体和第一结构本体之间；以及活跃区域，容纳在第一密封腔中，包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 微机电换能器 半导体本体 第一表面 第二表面 结构本体 密封腔 垂直方向延伸 传感器元件 彼此相对 活跃区域 耦合 制造 容纳 | ||
【主权项】：
1.一种微机电换能器，包括：半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一结构本体，耦合至所述半导体本体的所述第一表面；密封腔，在所述半导体本体(2)和所述第一结构本体之间延伸，并且包括位于所述半导体本体中的至少两个沟槽，所述至少两个沟槽在所述半导体本体中限定桥结构，所述沟槽沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸；以及传感器元件，位于所述至少两个沟槽之间的所述桥结构上或中。
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