[发明专利]一种曝光方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810253594.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110361938B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 唐彩红 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种曝光方法及半导体器件的制造方法，本发明通过将待曝光基底放置在工件台上；通过温度传感器测量所述待曝光基底的表面温度，并根据所述待曝光基底的表面温度进行温度控制；对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理以及对掩模台上的掩模版进行对准处理；执行曝光操作。本发明提供的技术方案，通过对待曝光基底进行温度控制，使待曝光基底在对准操作和曝光操作之间的温度差减小，避免了温度差值过大而导致的待曝光基底形变等问题，提高了待曝光基底进行曝光时的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，其特征在于，包括：将待曝光基底放置在工件台上；通过温度传感器测量所述待曝光基底的表面温度，并根据所述待曝光基底的表面温度进行温度控制；对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理以及对掩模台上的掩模版进行对准处理；执行曝光操作。
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