[发明专利]集成电路装置有效
| 申请号： | 201810253757.X | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109427783B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 赵南奎;林青美;成金重;李承勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：第一鳍有源区，从衬底突出并在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，从所述衬底突出，所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的所述一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
