[发明专利]一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法

摘要

本发明公开了一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法。本发明通过线切、晶片第一次研磨、分选、晶片第二次研磨、粘砣、磨砣、化砣、滚筒修边、清洗、第一次分频、浸蚀、第二次分频、挑选包装入库的工艺制成的石英晶片，该石英晶片在特殊环境温度范围(‑40℃～120℃)，大幅度减小了频率的变化量，频率变化量不超过30ppm，保证了在特殊环境温度下的晶片正常稳定工作；而且，本发明的工艺成本低，便于控制，生产出的石英晶片品质好、精度高，可广泛应用于石英晶片的生产制造领域。

主权项

1.一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(S1)线切：选择石英晶棒，将石英晶棒切割成0.2～0.7mm厚度的石英晶片；(S2)晶片第一次研磨：对石英晶片进行第一次研磨，获得0.1～0.6mm厚度的石英晶片；(S3)分选：用X光测角仪对石英晶片进行角度分选，并剔除不达标产品；(S4)晶片第二次研磨：对分选出的石英晶片依次进行细磨、平整度精磨；(S5)粘砣：将切割好的石英晶片排列整齐后，用粘接剂粘接成15～20mm宽度的晶砣，用线锯将粘接好的晶砣切割成4～10mm宽度的晶砣；(S6)磨砣：将切割后的晶砣研磨到2～8mm宽度；(S7)化砣：将晶砣中的粘接剂融化，分离出石英晶片；(S8)滚筒修边：对分离出来的石英晶片进行外观精挑，然后对精挑得到的石英晶片进行滚筒修边；(S9)清洗：清除加工过程中残存石英晶片表面的杂物；(S10)第一次分频：将石英晶片进行频率分档，去除CI不良和寄生超标的晶片；(S11)浸蚀：采用酸性溶液对石英晶片表面进行化学浸蚀；(S12)第二次分频：将石英晶片进行频率分档，去除CI不良和寄生超标的晶片；(S13)对石英晶片的外观精挑，最后包装入库。