[发明专利]一种基于复合结构的石墨烯-量子点双色光探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810254366.X | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN108550593B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 王军;朱瑶瑶;潘锐;苟君;陈超 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 蒋秀清;李春芳 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于光探测器技术领域,具体涉及一种基于复合结构的石墨烯‑量子点双色光探测器及其制备方法。针对现有的石墨烯‑量子点混合光探测器由于量子点对光的吸收波段的限制,导致了一个探测器只能检测波长为较窄范围内的光的缺陷,本发明的技术方案是:由下至上由金属衬底、绝缘层Ⅰ、石墨烯Ⅰ、量子点Ⅰ、介质层、石墨烯Ⅱ、量子点Ⅱ和绝缘层Ⅱ共八层层状结构构成,所述量子点Ⅰ两侧分别设置有两个电极Ⅰ,两个电极Ⅰ分别作为源电极和漏电极;所述量子点Ⅱ两侧分别设置有两个电极Ⅱ,两个电极Ⅱ分别作为源电极和漏电极;所述量子点Ⅰ和量子点Ⅱ分别采用两种量子点材料制作。本发明适用于多色光检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 复合 结构 石墨 量子 色光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于复合结构的石墨烯‑量子点双色光探测器,由下至上包括绝缘层Ⅰ(2)、石墨烯Ⅰ(3)和量子点Ⅰ(5),所述量子点Ⅰ(5)两侧分别设置有两个电极Ⅰ(4),其特征在于:所述量子点Ⅰ(5)上还依次设置有介质层(6)、石墨烯Ⅱ(7)、量子点Ⅱ(9)和绝缘层Ⅱ(10),所述量子点Ⅱ(9)两侧分别设置有两个电极Ⅱ(8),所述量子点Ⅰ(5)和量子点Ⅱ(9)分别采用两种量子点材料制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810254366.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低暗计数率CMOS SPAD光电器件
- 下一篇:图像传感器及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的