[发明专利]具有用于自隔离掩埋层的偏置结构的半导体器件及其方法

摘要

本公开涉及具有用于自隔离掩埋层的偏置结构的半导体器件及其方法。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括浮动掩埋掺杂区域、设置在所述浮动掩埋掺杂区域与第一主表面之间的第一掺杂区域、以及设置在所述浮动掩埋掺杂区域与第二主表面之间的半导体区域。沟槽隔离部分从所述第一主表面延伸并且终止于所述半导体区域内以限定有源区域。绝缘沟槽结构横向地设置在所述沟槽隔离部分之间，终止于所述浮动掩埋掺杂区域内，并且限定所述有源区域的第一部分和第二部分。偏置半导体器件在所述第一部分内，且功能半导体器件在所述第二部分内。所述偏置半导体器件适于设定所述浮动掩埋掺杂区域的电势并且适于将寄生电流转移离开所述功能半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一主表面和相对的第二主表面，其中所述半导体衬底包括：第一导电类型的浮动掩埋掺杂区域；第二导电类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域设置在所述浮动掩埋掺杂区域与所述第一主表面之间；以及所述第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域设置在所述浮动掩埋掺杂区域与所述第二主表面之间；沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构从所述第一主表面延伸穿过所述第一掺杂区域、延伸穿过所述浮动掩埋掺杂区域并且延伸进入所述半导体区域中，其中：所述浮动掩埋掺杂区域邻接所述沟槽隔离结构；并且所述沟槽隔离结构限定用于所述半导体器件的有源区域的周边；绝缘沟槽结构，所述绝缘沟槽结构从所述第一主表面延伸穿过所述第一掺杂区域并且终止于所述浮动掩埋掺杂区域内，其中：所述绝缘沟槽结构设置在所述沟槽隔离结构的所述周边内；所述绝缘沟槽结构限定所述有源区域的第一部分和第二部分；并且所述浮动掩埋掺杂区域将所述有源区域的所述第一部分和所述第二部分电耦接在一起；第一半导体器件，所述第一半导体器件设置在所述第一掺杂区域内以及所述有源区域的所述第二部分内；第一导电电极，所述第一导电电极电耦接到所述第一半导体器件；以及第二导电电极，所述第二导电电极电耦接到所述有源区域的所述第一部分，其中：所述第二导电电极、所述有源区域的所述第一部分和所述浮动掩埋掺杂区域形成偏置半导体器件，所述偏置半导体器件被配置用于设定所述浮动掩埋掺杂区域的电势。