[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810256861.4 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109326598A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11582;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。可以提供一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。该半导体器件可以包括通过第一狭缝彼此隔离的第一垂直导电图案和第二垂直导电图案。该半导体器件可以包括至少一个第一半导电图案，所述至少一个第一半导电图案从第一垂直导电图案朝向设置在第一狭缝的一侧的第一区域延伸。该半导体器件可以包括至少一个第二半导电图案，所述至少一个第二半导电图案从第二垂直导电图案朝向设置在第一狭缝的另一侧的第二区域延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导电图案 导电图案 垂直 狭缝 制造 第二区域 第一区域 延伸 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：第一垂直导电图案和第二垂直导电图案，所述第一垂直导电图案和所述第二垂直导电图案通过第一狭缝彼此隔离；至少一个第一半导电图案，所述至少一个第一半导电图案从所述第一垂直导电图案朝向设置在所述第一狭缝的一侧的第一区域延伸；以及至少一个第二半导电图案，所述至少一个第二半导电图案从所述第二垂直导电图案朝向设置在所述第一狭缝的另一侧的第二区域延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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